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Abstreiter Gerhard Prof. Dr. B.: Halbleiterphysiker, Gschf. u. Ltr.. FN.: Walter Schottky Institut f. Technischen Universität München. DA.: 85748 Garching, Am Clumbwall 1. G.: Allershausen, 27. Nov. 1946. S.: 1968 Abitur, 1968-73 Stud. an d. Techn. Univ. München Physik, Dipl., 1975 Prom., 1984 Habil.. K.: 1975-79 Max-Planck-Inst. f. Festkörperforschung in Stuttgart, 1979-86 Arbeitsgruppenltr. am physik. Inst. d. TU München, 1986/1987 Gastprof. an d. Univ. Innsbruck, s. 1987 ordentl. Prof. am physik. Inst. sowie am Walter-Schottky-Inst. d. TU München, 1995 Gastprof. an d. Univ. of Calif., Santa Barbara, 2000 Gastprof. an d. Columbia Univ. in New York u. d. Univ. Tokio, Japan, Forschung: Physik u. Technol. niedrigdimens. Halbleitersysteme auf Basis v. Silizium u. Galliumarsenid, 2002 zus. m. Koll. v. Max-Planck-Inst. f. Festkörperforschung in Stuttgart Spin-Wechselwirkung zw. Elektronen u. Atomkernen in einem Halbleiter ausschl. durch elektr. Messungen. P.: "Cyclotron resonance of electrons in space-charge layers on silicon" (1976), "Inlastic Light Scattering Band Gap and Two-Dimensional Subbands in a Novel GaAs Superlattices" (1985), "Strain-Induced Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped Si/SixGe1-x" (1985), !High-electron-mobility Si/Si/Ge heterostructures: influence of the relaxed SiGe buffer layer" (1992), "Optically programmable electron spin memory using semiconductor quantum dots" (2004) u.a.m.. E.: 1986 Walter-Schottky-Preis d. Dt. Forschungsgem. (DPG), 1987 Gottfried-Wilhelm-Leibniz-Preis d. DFG, 1992 Fellow d. Amer. Physic. Society, 1998 Max-Born-Preis u. -Medaille d. Dt. Physikal. Ges. (DPG) u. d. Inst. of Physics (IoP) in London, 2006 Heinz Maier-Leibnitz-Medaille d. Techn. Univ. München . M.: seit 2007 Bayerische Akademie d. Wiss.. ■ |
