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Abstreiter Gerhard Prof. Dr. B.: Halbleiterphysiker. FN.: Walter Schottky Institut f. Technischen Universität München. DA.: 85748 Garching, Am Clumbwall 1. G.: Allershausen, 27. November 1946. S.: 1968 Abitur, 1968-73 Studium an d. Technischen Universität München Physik, Diplom, 1975 Promotion, 1984 Habilitation. K.: 1975-79 Max-Planck-Institut f. Festkörperforschung in Stuttgart, 1979-86 Arbeitsgruppenleiter am physikalischen Institut d. TU München, 1986/1987 Gastprofessor an d. Universität Innsbruck, seit 1987 ordentlicher Professor am physikalischen Institut sowie am Walter-Schottky-Institut d. TU München, 1995 Gastprofessor an d. University of Californien, Santa Barbara, 2000 Gastprofessor an d. Columbia University in New York u. d. University Tokio, Japan, Forschung: über Physik u. Technologie niedrigdimensionaler Halbleitersysteme auf d. Basis v. Silizium u. Galliumarsenid. BL.: entwickelt neuartige Bauelemente auf d. Basis v. Quanteneffekten. P.: "Cyclotron resonance of electrons in space-charge layers on silicon" (1976), "Inlastic Light Scattering Band Gap and Two-Dimensional Subbands in a Novel GaAs Superlattices" (1985), "Strain-Induced Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped Si/SixGe1-x" (1985), !High-electron-mobility Si/Si/Ge heterostructures: influence of the relaxed SiGe buffer layer" (1992), "Optically programmable electron spin memory using semiconductor quantum dots" (2004) u.a.m.. E.: 1986 Walter-Schottky-Preis d. Deutscgen Forschungsgemeinschaft (DPG), 1987 Gottfried-Wilhelm-Leibniz-Preis d. DFG, 1992 Fellow d. Amer. Physic. Society, 1998 Max-Born-Preis u. -Medaille d. Deutschen Physikalischen Gesellschaft (DPG) u. d. Instituts of Physics (IoP) in London, 2006 Heinz Maier-Leibnitz-Medaille d. Technischen Universität München . M.: seit 2007 Bayerische Akademie d. Wissenschaft, Deutsche Akademie d. Technikwissenschaften (acatech).. E-Mail: Abstreiter@wsi.tum.de. ■ |
